发明名称 |
一种利用原子层沉积提高钕铁硼磁体耐腐蚀性能的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高钕铁硼磁体耐腐蚀性能的方法,利用原子层沉积技术在钕铁硼磁体表面形成耐腐蚀纳米薄膜-二氧化钛。其主要步骤为:1)将烧结钕铁硼磁体待加工表面进行打磨,抛光、清洗和干燥预处理;2)将预处理的烧结钕铁硼磁体放入原子层沉积设备的固定台架上,并进行预热处理;3)在钕铁硼磁体表面沉积一层三氧化二铝;4)在钕铁硼磁体表面沉积一层二氧化钛。原子层沉积技术的制备过程不产生酸碱等废水,工艺流程简单,是一种环境友好的制备方法。 |
申请公布号 |
CN105506582A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201511002018.6 |
申请日期 |
2015.12.29 |
申请人 |
湖南理工学院 |
发明人 |
郭洪澈;甘安平;刘红霞;刘玉华;徐诚;周洪波 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高钕铁硼永磁体耐腐蚀性能的方法,其特征在于使用原子层沉积工艺在钕铁硼表面沉积一层耐腐纳米薄膜‑二氧化钛,具体操作步骤如下:A.烧结钕铁硼磁体代加工表面进行打磨,抛光、清洗和干燥预处理;B.将预处理的烧结钕铁硼磁体放入原子层沉积设备的固定台架上,并进行预热处理;C.在钕铁硼磁体表面沉积一层三氧化二铝;D.在钕铁硼磁体表面继续沉积一层二氧化钛。 |
地址 |
414000 湖南省岳阳市奇家岭学院路439号 |