| 摘要 |
금속 퓨즈를 갖는 반도체 디바이스가 제공된다. 금속 퓨즈는 전자 컴포넌트(예컨대, 트랜지스터) 및 그라운딩된 기존의 더미 피처를 접속한다. 금속 퓨즈의 보호가 금속화 형성 공정의 처음부터 시작되도록 설계될 수 있다. 그라운딩된 더미 피처는 전체 BEOL(back end of the line) 공정 동안에 그라운드로 플라즈마 전하에 대한 경로를 제공한다. 금속 퓨즈는 회로 레벨 보호인 다이오드와는 대조적으로 공정 레벨 보호이다. 공정 레벨 보호로서, 금속 퓨즈는 후속적으로 형성되는 회로를 보호한다. 게다가, 이미 구현된 내부 더미 패턴 이외의 어떠한 추가적인 활성 영역도 칩에서 금속 퓨즈를 위해 요구되지 않는다. |
