发明名称 Fabrication of infra-red light emitting diode with diamond like carbon passivation
摘要 본 발명은 적외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 적외선 발광다이오드의 제조과정에서 발생하는 표면 오염 및 이에 따른 품질 저하와 생산성 저하가 방지되는 적외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 적외선 발광 다이오드는 적외선 발광다이오드 표면에 다이아몬드상 카본 층을 가지는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR101610440(B1) 申请公布日期 2016.04.20
申请号 KR20130145159 申请日期 2013.11.27
申请人 광전자 주식회사 发明人 이형주
分类号 H01L33/44 主分类号 H01L33/44
代理机构 代理人
主权项
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