| 发明名称 | 一种宽带的中红外调制器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本实用新型的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN205176417U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201520779022.2 | 申请日期 | 2015.10.09 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 刘志军;彭昊;蒋亚东 |
| 分类号 | G02F1/01(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 裴娜 |
| 主权项 | 一种宽带的中红外调制器，其特征在于，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。 | ||
| 地址 | 610054 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||