半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：第一绝缘层；接触塞；第一蚀刻停止层，位于所述第一绝缘层上方，其中，所述接触塞形成在所述第一绝缘层和所述第一蚀刻停止层中；第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上方；第二绝缘层，位于所述第二蚀刻停止层上方并且具有位于所述接触塞上方的接触开口；电容器，设置在所述接触开口中并且直接位于所述接触塞上方，所述电容器包括：顶部电极；底部电极；以及电介质，设置在所述顶部电极和所述底部电极之间；其中，去除了所述接触开口中的第二蚀刻停止层；并且，保留所述接触开口中的第一蚀刻停止层。