| 发明名称 | 一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法。本发明的三元复合阻变薄膜是对铁电/半导体复合薄膜进行聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂而得到，PMMA的掺杂量与铁电聚合物的质量比为0.1:10-0.3:10。该三元复合薄膜的表面粗糙度、抗电疲劳特性和阻态保持性能都得到明显改善。由于PMMA与铁电聚合物P(VDF-TrFE)互溶性佳，可有效降低铁电相的漏电特性；而PMMA与有机半导体，如P3HT，形成层状相分离结构，可有效抑制半导体相的漏电，降低半导体相电击穿的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN105514273A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510950012.5 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 朱国栋 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜，其特征在于对铁电/半导体复合薄膜进行聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂而得到，PMMA的掺杂量与铁电聚合物的质量比为0.1:10‑0.3:10。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||