| 发明名称 | 一种发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，其依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。本发明通过设计晶格常数相同的第一缓冲层和第二缓冲层，使缓冲层内无极化效应，进而改善N型层与量子阱层、P型层与量子阱层之间的晶格失配，减少量子阱层的极化效应。 | ||
| 申请公布号 | CN105514239A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201610098089.9 | 申请日期 | 2016.02.23 |
| 申请人 | 安徽三安光电有限公司 | 发明人 | 蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)N | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种发光二极管，依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与所述第二缓冲层的晶格常数相同。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||