| 发明名称 | 用于嵌入式存储器和逻辑技术的垂直晶体管器件 | ||
| 摘要 | 描述了垂直晶体管器件。例如，在一个实施例中，垂直晶体管器件包括设置在衬底上的外延源极半导体区、设置在所述源极半导体区上的外延沟道半导体区、设置在所述沟道半导体区上的外延漏极半导体区、以及包围所述半导体沟道区的侧壁的栅极电极区。所述半导体区中的至少一个半导体区的组分沿着相对于所述衬底的表面垂直的纵向轴而变化。 | ||
| 申请公布号 | CN105518867A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201480047444.9 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·S·多伊尔;U·沙阿;R·科特利尔;C·C·郭 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种垂直晶体管器件，包括：设置在衬底上的外延源极半导体区；设置在所述源极半导体区上的外延沟道半导体区；设置在所述沟道半导体区上的外延漏极半导体区；以及包围所述半导体沟道区的多个侧壁的栅极电极区，其中，所述半导体区中的至少一个半导体区的组分沿着相对于所述衬底的表面垂直的纵向轴而变化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||