太阳电池芯片及其制作方法

摘要

本发明公开一种高倍聚光太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。本发明采用透明导电层大面积的与电池外延片表面形成欧姆接触，大大降低了电极与电池外延片的接触电阻；采用网格状金属纳米电极嵌入透明导电层，大大提高了透明导电层的导电能力，解决了高倍聚光条件下，透明导电层导电能力不足的问题；由于提高了透明导电层的电导率，所述的栅状电极可设计更宽的距离，提高了太阳光利用率。

主权项

太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面，其宽度为20~500纳米，电极间距为1~10微米；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上，在网格内空白区域直接与所述太阳电池外延叠层表面接触；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极和所述栅状电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。