一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件，所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层，生长GaInP作为缓冲层，在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HEMT工艺与COMS工艺相兼容的问题，可为HEMT的硅基集成提供基础。

主权项

一种可用于硅基集成的HEMT器件的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤A：对由锗构成的衬底进行预处理；步骤B：将所述衬底进行加热，然后进行退火处理；步骤C：采用MOCVD的方法在所述衬底上生长掺杂Fe的GaInP半绝缘层；步骤D：在所述掺杂Fe的GaInP半绝缘层上继续外延生长GaInP缓冲层；步骤E：在所述GaInP缓冲层上形成半导体叠层，该半导体叠层自下而上包括GaAs沟道层、未掺杂的AlGaAs隔离层和掺杂浓度在10¹⁸/cm³量级的AlGaAs供应层；步骤F：在所述半导体叠层上生长3×10⁸～7×10⁸/cm³的GaAs帽层；步骤G：在所述GaAs帽层上形成源极和漏极；步骤H：在所述GaAs帽层中形成栅极。