多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法

摘要

本发明提供一种多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，包括P型区和N型区；在N型区上形成第一掩膜层，在所述半导体衬底上形成硅锗层；去除所述第一掩膜层；在P型区和N型区上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层，形成P型区沟槽和N型区沟槽；在P型区沟槽和N型区沟槽中填充硅层；去除P型区沟槽和N型区沟槽以外的硅层，并进行回刻蚀工艺；在所述P型区沟槽和N型区沟槽中形成第三掩膜层；去除第二掩膜层，形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构。通过分别在P型区和N型区上形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构，从而能够形成应力不同的P型区鳍状结构和N型区鳍状结构，工艺方法简单，降低制造成本。

主权项

一种多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型区和N型区，其中，所述半导体衬底为单晶硅衬底；在所述N型区上形成第一掩膜层，并在所述P型区上形成硅锗层；去除所述第一掩膜层；在所述P型区和N型区上覆盖第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层，所述P型区刻蚀停止于所述硅锗层上，所述N型区刻蚀停止于所述半导体衬底上，以在所述第二掩膜层中形成P型区沟槽和N型区沟槽；进行外延生长工艺，以在所述P型区沟槽和N型区沟槽中填充硅层；利用化学机械研磨去除所述P型区沟槽和N型区沟槽以外的硅层，并进行回刻蚀工艺；在所述P型区沟槽和N型区沟槽中的硅层上形成第三掩膜层；去除所述第二掩膜层，以在所述P型区沟槽和N型区沟槽上分别形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构。