| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上自上而下依次具有第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；刻蚀所述第一导电层，形成第一电极，所述第一电极暴露出部分所述第一绝缘层；形成覆盖所述第一电极顶表面和侧壁、以及部分所述第一绝缘层顶表面的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，直至暴露出所述第二导电层，剩余在所述第一电极侧壁表面的第二绝缘层及其下方的第一绝缘层构成侧墙结构，位于所述第一电极下方的第一绝缘层构成电介质层；刻蚀所述第二导电层，形成第二电极。本发明的MIM电容的形成方法可以减少对电容中电介质层的刻蚀损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105514092A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201511016872.8 | 申请日期 | 2015.12.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黄冲;李志国;董碧云 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡杰赟;吴敏 |
| 主权项 | 一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上自上而下依次具有第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；刻蚀所述第一导电层，形成第一电极，所述第一电极暴露出部分所述第一绝缘层；形成覆盖所述第一电极顶表面和侧壁、以及部分所述第一绝缘层顶表面的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，直至暴露出所述第二导电层，剩余在所述第一电极侧壁表面的第二绝缘层及其下方的第一绝缘层构成侧墙结构，位于所述第一电极下方的第一绝缘层构成电介质层；刻蚀所述第二导电层，形成第二电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||