可编程晶体管阵列设计方法

摘要

本发明涉及一种设计集成电路的方法，包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层，基底层包括逻辑晶体管单元(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的LTU。该方法还包括：连接第一芯片的基底层以形成第一应用芯片；以及连接第二芯片的基底层以形成不同于第一应用芯片的第二应用芯片。

主权项

一种集成电路结构，包括：芯片中的多个PMOS晶体管单元PTU；以及所述芯片中的多个NMOS晶体管单元NTU，其中，所述多个PMOS晶体管单元和所述多个NMOS晶体管单元中的每一个都包括：有源区域，具有矩形形状；偶数个栅极，在所述有源区域上方；两个虚拟栅极，在所述有源区域的相对侧上，在有源区域外侧并直接位于绝缘区域之上，其中，所述栅极和所述两个虚拟栅极彼此平行；以及接触插塞，连接至所述栅极，其中，所述接触插塞不直接在所述有源区域上方，其中，所述芯片中的所有PMOS器件都具有与所述多个PTU中的任意一个相同的布局，以及其中，所述芯片中的所有NMOS器件都具有与所述多个NTU中的任意一个相同的布局；其中，所有所述PTU的栅极之间的间距P1均相等，所有所述NTU的栅极之间的间距P2均相等，且P1等于P2。