发明名称 一种石墨烯转移方法
摘要 本发明公开一种石墨烯转移方法,将生长在衬底上的石墨烯转移至目标基体上,包括如下步骤:(1)在石墨烯和/或目标基体表面涂一层导电胶,然后将生长在衬底上的石墨烯与目标基体贴合;(2)贴合后,烘烤使导电胶固化,再除去衬底。与现有PMMA或PDSM转移方法相比,本发明转移石墨烯的方法步骤少,操作简单,节约成本,导电胶有一定的胶粘性,固化后可提高目标基体与石墨烯的结合力,同时可以明显减少转移过程对石墨烯所产生的缺陷,从而明显降低石墨烯的方阻。
申请公布号 CN103935992B 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201410170167.2 申请日期 2014.04.25
申请人 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 发明人 邱玉锐
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人 陆菊华
主权项 一种石墨烯转移方法,将生长在衬底上的石墨烯转移至目标基体上,包括如下步骤:(1)在石墨烯和/或目标基体表面涂一层导电胶,然后将生长在衬底上的石墨烯与目标基体贴合;(2)贴合后,烘烤使导电胶固化,再除去衬底;所述导电胶主要由10‑98wt%的胶粘剂和1‑30wt%的导电填料组成;所述导电填料为纳米金属材料和/或导电聚合物;所述纳米金属材料为纳米银、纳米金或纳米铜;所述导电聚合物为聚3,4‑乙撑二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸、聚3,4‑乙撑二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔和/或聚对苯撑乙炔。
地址 214000 江苏省无锡市惠山经济开发区智慧路1号清华创新大厦A2005室