发明名称 |
等离子体点火的装置、方法和半导体设备 |
摘要 |
本发明提供了一种等离子体点火的装置、方法和半导体设备。该等离子点火的装置包括:所述频率可调射频电源,用于在频率为点火频率时通过所述匹配器向反应腔室提供射频功率以实现所述匹配器向所述反应腔室输出点火电压,所述点火电压用于实现对所述反应腔室内的等离子体进行点火,所述点火频率大于所述频率可调射频电源的工艺处理频率。本发明无需通过调节匹配器内部的可调电感的电感值实现等离子的点火,从而避免了调节可调电感的电感值而导致的降低继电器的使用寿命的问题,可实现在不改变最佳阻抗匹配条件的前提下提高继电器的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102647845B |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201110043757.5 |
申请日期 |
2011.02.22 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
朱桂林 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种等离子体点火的装置,其特征在于,用于在不改变最佳阻抗匹配条件的前提下实现等离子体的点火和工艺处理,包括:频率可调射频电源和与所述频率可调射频电源连接且固定处于最佳阻抗匹配条件下的匹配器;所述频率可调射频电源,用于在频率为点火频率时通过所述匹配器向反应腔室提供射频功率以实现所述匹配器向所述反应腔室输出点火电压,所述点火电压用于实现对所述反应腔室内的等离子体进行点火,所述点火频率大于所述频率可调射频电源的工艺处理频率。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |