一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；在所述半导体基体的侧壁上形成介质膜；去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相对应的侧壁上形成倒掺杂阱结构。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互对应的侧壁形成倒掺杂阱结构，可以有效地减小源/漏耗尽层的宽度，从而降低短沟道效应。

主权项

一种半导体结构的制作方法，该方法包括：a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成绝缘层(101)、以及在该绝缘层(101)上形成半导体基底(102)；b)在所述半导体基底(102)上形成牺牲层(200)、以及环绕所述牺牲层(200)的侧墙(201)，并以该所述侧墙(201)为掩膜刻蚀所述半导体基底(102)，形成半导体基体(103)；c)在所述半导体基体(103)的侧壁上形成介质膜(300)；d)去除所述牺牲层(200)、以及位于所述牺牲层(200)下方的所述半导体基体(103)，形成第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)；e)在所述第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)相对应的侧壁上形成倒掺杂阱结构。