发明名称 存储器单元及存储器阵列
摘要 本发明公开了一种存储器单元和存储器阵列。存储器单元包括写入选择晶体管、接续栅极晶体管、反熔丝组件及读取电路。在存储器单元的读取操作期间,反熔丝组件所产生的充电电流会触发读取电路以产生稳定的读取电流,因此可以缩短自存储器单元读取数据的时间。而在存储器单元的读取操作期间的一开始会执行放电程序,以确保自存储器单元读取数据的正确性。
申请公布号 CN105513643A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201510657450.2 申请日期 2015.10.13
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 吴孟益;黄志豪;陈信铭
分类号 G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I 主分类号 G11C17/16(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种存储器单元,其特征在于,包括:写入选择晶体管,具有第一端,用以接收位线写入信号的第二端,及用以接收字符线写入信号的控制端;接续栅极晶体管,具有第一端,耦接至所述写入选择晶体管的所述第一端的第二端,及用以接收接续控制信号的控制端;反熔丝组件,具有用以接收反熔丝控制信号的第一端,及耦接至所述接续栅极晶体管的所述第一端的第二端;及读取电路,耦接至所述接续栅极晶体管的所述第二端,及用以在所述存储器单元的读取操作期间根据位线读取信号及选择信号形成读取电流。
地址 中国台湾新竹市