发明名称 |
一种大面积MoS<sub>2</sub>薄膜生长方法 |
摘要 |
本发明公开了一种大面积MoS<sub>2</sub>薄膜生长方法,采用化学气相沉积法制备大面积MoS<sub>2</sub>薄膜,具体步骤如下:1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置,将SiO<sub>2</sub>基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方,封闭连接管路;2)在封闭的石英管中通入保护气体5-10分钟进行排空,打开炉子加热开关,升温至700-800℃,保温10分钟,关闭加热,冷却至室温,即可获得尺寸范围50-300微米的MoS<sub>2</sub>薄膜。本发明提供的大面积MoS<sub>2</sub>薄膜的制备方法,可以大大缩短制备薄膜的反应时间,并且制备出的形貌均匀,所制备的MoS<sub>2</sub>薄膜可以应用于光电探测器件、逻辑电路、电子元器件等领域。 |
申请公布号 |
CN105506578A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201510991088.2 |
申请日期 |
2015.12.24 |
申请人 |
中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
发明人 |
冯双龙;聂长斌;魏兴战;陆文强;史浩飞;杜春雷 |
分类号 |
C23C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人 |
王贵君 |
主权项 |
一种大面积MoS<sub>2</sub>薄膜生长方法,采用化学气相沉积法制备大面积MoS<sub>2</sub>薄膜,其特征在于,具体步骤如下:1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置,将SiO<sub>2</sub>基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方,封闭连接管路;2)在封闭的石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空,打开炉子加热开关,升温至700‑800℃,保温10‑20分钟,关闭加热,冷却至室温,即可获得尺寸范围50‑300微米的MoS<sub>2</sub>薄膜。 |
地址 |
400714 重庆市北碚区方正大道266号 |