发明名称 |
并行存取交叉点阵列中的存储器单元 |
摘要 |
用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。 |
申请公布号 |
CN105518789A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201480049464.X |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
埃尔南·卡斯特罗 |
分类号 |
G11C11/21(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/21(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法,其包括:并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元,其中并行存取包含同时施加第一存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及施加第二存取偏压于所述第二选定列与所述第二选定行之间。 |
地址 |
美国爱达荷州 |