基于磁阻式随机存取存储器磁性隧道结的电阻率的物理不可克隆函数

摘要

一个特征是关于基于磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列的至少一个物理不可克隆函数。对MRAM单元的所述阵列的询问可识别待用于所述物理不可克隆函数的所述单元中的一些。每一MRAM单元可包含多个磁性隧道结MTJ，其中所述MTJ可展现相异的电阻，这是归因于制造或制作变化。通过使用单元的所述MTJ中的一者或两者的所述电阻来获得充当所述单元的所述响应的值，可针对每一单元获得对所述询问的响应。可至少部分映射多个单元的所述响应以提供所述阵列的唯一识别符。由单元的所述阵列产生的所述响应可充当物理不可克隆函数，所述物理不可克隆函数可用以唯一地识别电子装置。

主权项

一种方法，其包括：将询问发布到包含多个磁性隧道结的磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列，所述询问包含所述磁性隧道结中的至少一些的多个MRAM单元地址；及通过确认所述磁性隧道结的电阻以产生所述阵列的至少部分映射，获得对所述询问的响应。