METHOD FOR INCREASING A SACRIFICIAL LAYER ETCHING RATE AND DEVICE FORMED THEREOF

摘要

본 발명은 일반적으로 MEMS 또는 NEMS 디바이스를 제조하는 방법 및 이 디바이스에 관한 것이다. 캔틸레버 구조체에 비해 더 낮은 재결합 계수를 가지는 물질의 박막 층은 캔틸레버 구조체, RF 전극 및 풀오프 전극 위에 증착될 수 있다. 박막층은 공동으로 도입되는 에칭 가스로 하여금 공동 내에 전체 에칭제 재결합 속도를 감소시켜 공동 내에 희생 물질의 에칭 속도를 증가시킬 수 있게 한다. 에칭제 그 자체는 희생 물질의 최상부 층이 제일 먼저 에칭되도록 캔틸레버 구조체의 앵커 부분과 선형으로 정렬된 캡슐 층 내 개구를 통해 도입될 수 있다. 이후 밀봉 물질이 공동을 밀봉할 수 있고 이 밀봉 물질은 공동을 통해 앵커 부분으로 연장하여 앵커 부분에 추가적인 강도를 제공한다.