| 发明名称 | 一种双向瞬态电压抑制器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，P型衬底上设有N型深阱；所述N型深阱内设有第一P阱、第一N阱、第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区，第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱；第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区，第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极；所述第四N+注入区和第二P+注入区连接到阴极。该器件可用于信号电平为-5V-＋5V芯片引脚的瞬态过压抑制。 | ||
| 申请公布号 | CN205177840U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201521026605.4 | 申请日期 | 2015.12.10 |
| 申请人 | 湖南静芯微电子技术有限公司 | 发明人 | ;董鹏;金湘亮;周子杰 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底内设有N型深阱，所述N型深阱内设有对称的第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间设有第一N阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区，第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱的交界处；第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区，第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱的交界处；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极，第四N+注入区和第二P+注入区连接阴极。 | ||
| 地址 | 410100 湖南省长沙市长沙经济技术开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号 | ||