| 发明名称 | 薄膜形成方法及薄膜形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102569030B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201110448722.X | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 池内俊之;周保华;山本和弥;世良贤太郎 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种薄膜形成方法，其特征在于，该薄膜形成方法包括：装载工序，将多个被处理体收容到被加热到装载温度的反应室内；薄膜形成工序，将在上述装载工序中收容了多个被处理体的反应室内冷却到成膜温度之后，向该反应室内供给成膜用气体而同时在多个被处理体上形成薄膜；在上述装载工序中，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||