发明名称 |
晶片分割方法 |
摘要 |
本发明提供晶片分割方法,不会在晶片的背面侧产生较大的缺口。针对通过分割预定线进行划分而在正面形成有多个器件的晶片,将该晶片分割为各个器件,具有以下工序:第1保持工序,用激光加工装置的卡盘台保持晶片;改性层形成工序,将对于晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点对准于晶片内部进行照射,在该分割预定线的两侧的晶片背面侧形成一对改性层,一对改性层的间隔比切削刀具的切削刃的宽度大且比分割预定线的宽度小;晶片粘贴工序,将晶片粘贴到外周部被粘贴于环状框的划片带上;第2保持工序,在实施改性层形成工序和晶片粘贴工序后,利用切削装置的卡盘台隔着划片带保持晶片;分割工序,用切削刀具切削各分割预定线,将晶片分割为各个器件。 |
申请公布号 |
CN102693942B |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201210077900.7 |
申请日期 |
2012.03.22 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
田中圭 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;B23K26/364(2014.01)I;B23K26/40(2014.01)I;B23K26/08(2014.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;黄纶伟 |
主权项 |
一种晶片分割方法,针对通过分割预定线进行划分而在正面形成有多个器件的晶片,将该晶片分割为各个器件,该晶片分割方法的特征在于,具有以下工序:第1保持工序,用激光加工装置的卡盘台保持晶片;改性层形成工序,将对于晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点对准于晶片内部而照射该激光束,在该分割预定线的两侧的晶片背面侧形成一对改性层,这一对改性层的间隔比切削刀具的切削刃的宽度大,且比该分割预定线的宽度小;晶片粘贴工序,在实施该改性层形成工序后,将晶片粘贴到外周部被粘贴于环状框的划片带上;第2保持工序,在实施该改性层形成工序和该晶片粘贴工序后,利用切削装置的卡盘台隔着该划片带来保持晶片;以及分割工序,在实施该第2保持工序后,沿着在该分割预定线的两侧形成有一对改性层的各条分割预定线,用切削刀具切削晶片而形成切削槽,将晶片分割为各个器件,通过形成在分割预定线的两侧的一对改性层,切削刃的破碎力被阻断,防止在实施分割工序时,在该切削槽的两侧的晶片的背面产生大的缺口。 |
地址 |
日本东京都 |