发明名称 像素结构
摘要 本发明提供一种像素结构及其制造方法。本发明的像素结构是一种混合平面内转换(IPS)技术和边缘场切换(FFS)技术而实现的像素结构。各像素结构系利用两透明导电层来形成储存电容(Cst),因此在不降低开口率的情形下可增加储存电容来降低馈通电压,避免显示画面闪烁的情形发生。
申请公布号 CN103094069B 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201110400705.9 申请日期 2011.12.06
申请人 瀚宇彩晶股份有限公司 发明人 高翎志;蔡居宏;黄昆财
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种像素结构,是由一闸极线及一数据线所定义,其特征在于,所述像素结构包含:一共享线,提供一共同电压;一图案化第一透明导电层,与所述共享线电性连接,并具有一第一共享电极,延伸至所述像素结构的显示区;一图案化第二透明导电层,位于所述图案化第一透明导电层上方,所述图案化第二透明导电层具有一像素电极及一第二共享电极,其中所述图案化第一透明导电层的所述第一共享电极具有一镂空结构,其对应于所述图案化第二透明导电层的所述第二共享电极而设置;至少一绝缘层,设置于所述图案化第一透明导电层与所述图案化第二透明导电层之间;以及一薄膜晶体管结构,与所述图案化第一透明导电层及所述图案化第二透明导电层设置在相同的基板上,所述薄膜晶体管结构包含一闸极、一源极及一汲极,所述闸极电性连接至所述闸极线,所述源极电性连接至所述数据线,所述图案化第二透明导电层的所述像素电极是透过一第一接触窗与所述薄膜晶体管结构的所述汲极电性连接,所述图案化第二透明导电层的所述第二共享电极是透过一第二接触窗与所述图案化第一透明导电层的所述第一共享电极电性连接,所述像素电极与所述第一共享电极间形成一储存电容。
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