发明名称 |
改善硅纳米线太阳能电池性能的方法 |
摘要 |
本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,包括:S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中,并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极;S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池,并持续一个预定时间;S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池,并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率,且工艺简单、成本低廉。 |
申请公布号 |
CN103794680B |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201410043904.2 |
申请日期 |
2014.01.29 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中,并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极,所述硅纳米线太阳能电池包括前电极透明导电膜,所述电解液为与所述前电极透明导电膜反应可生成绝缘性反应物的溶液;S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池,并持续一个预定时间;S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池,并进行清洗。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |