发明名称 | 用于制造电子器件的方法和电子器件 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于制造电子器件(240)的方法(100),所述方法能够具有:借助于原子层沉积法将电极生长层(226)施加(102)在层结构上或施加在层结构上方;并且将电极(232)施加(104)在电极生长层(226)上。 | ||
申请公布号 | CN103210519B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
申请号 | CN201180054917.4 | 申请日期 | 2011.07.28 |
申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 迪尔克·贝克;埃尔温·兰;蒂洛·罗伊施 |
分类号 | H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
主权项 | 用于制造电子器件的方法,其中所述方法具有:·借助于原子层沉积法将导电的电极生长层施加在层结构上或施加在层结构上方;并且·将电极施加在所述电极生长层上;·其中施加具有1.5nm至10nm范围中的层厚度的所述电极生长层。 | ||
地址 | 德国雷根斯堡 |