一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法。在半导体器件的形成方法中，在基底上形成金属导电层之前，先形成第一导电层；再以金属导电层上图案化后的光刻胶层为掩膜刻蚀金属导电层，至露出第一导电层；并在去除所述光刻胶层后，继续刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。其中，在刻蚀完金属导电层后灰化去除光刻胶层的过程中，由于有第一导电层的保护，可有效避免灰化工艺中氧等离子气体与基底接触而造成基底损伤。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上方形成金属导电层；在所述金属导电层上方形成光刻胶层，图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属导电层至露出所述第一导电层，在所述金属导电层内形成开口；灰化去除所述光刻胶层；以所述金属导电层为掩膜，刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。