| 发明名称 | 化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件结构以及覆盖部分所述半导体衬底和所述器件结构的介质层，所述介质层上形成有铜金属层；研磨所述铜金属层，直至露出所述器件结构上方的所述介质层；研磨露出的所述介质层，所述铜金属层的表面具有铜的残留物；采用能与所述铜的残留物反应的溶液清洗所述半导体衬底，以去除所述铜的残留物；研磨所述铜金属层，以去除所述第一通孔以外的所述铜金属层；以及研磨所述介质层至预定厚度。本发明的化学机械抛光方法可以去除铜的残留物，保证研磨过程的顺利进行，而不必过多的减薄介质层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN105513961A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410487213.1 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱宏亮;王爱兵 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件结构以及覆盖部分所述半导体衬底和所述器件结构的介质层，所述介质层中形成有第一通孔，所述第一通孔露出所述器件结构，所述介质层上形成有铜金属层，所述铜金属层填满所述第一通孔并覆盖所述介质层；研磨所述铜金属层，直至露出所述器件结构上方的所述介质层；研磨露出的所述介质层，所述铜金属层的表面具有铜的残留物；采用能与所述铜的残留物反应的溶液清洗所述半导体衬底，以去除所述铜的残留物；研磨所述铜金属层，以去除所述第一通孔以外的所述铜金属层；以及研磨所述介质层至预定厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||