| 摘要 |
태양전지는 제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판; 반도체 기판의 전면(front surface)에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터(emitter)부; 에미터부의 전면(front surface)에 위치하며, 복수의 막으로 이루어지는 전면 패시베이션(front passivation)부; 전면 패시베이션부를 통과하여 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극(front electrode)부; 반도체 기판의 후면에 위치하며, 복수의 막으로 이루어지는 후면 패시베이션(back passivation)부; 및 후면 패시베이션부를 통과하여 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 후면 전극(back electrode)부를 포함하고, 전면 패시베이션부와 후면 패시베이션부는 1㎚ 내지 3㎚의 두께로 형성된 실리콘 산화막(SiOx layer)을 각각 포함하며, 전면 패시베이션부와 후면 패시베이션부 중 어느 하나의 패시베이션부는 알루미늄 산화막(AlOx layer)을 포함하고, 다른 하나의 패시베이션부는 알루미늄 산화막을 포함하지 않는다. |
