nitride semiconductor device and method for fabricating the same

摘要

질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 활성층을 포함하는 반도체층을 준비하는 단계와, 활성층으로부터 생성된 광이 출사되는 반도체층 표면 위에 금속막을 형성하는 단계와, 금속막을 열처리하여 금속막의 표면을 불균일하게 변형시키는 단계와, 불균일한 표면을 갖는 금속막을 마스크로 반도체층 표면을 식각하여 다수의 돌출부를 형성하는 단계와, 남아 있는 금속막을 제거하고 반도체층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.