| 摘要 |
금속막의 일함수를 조정할 수 있는 기술을 제공한다. 기판에 대하여 제1 금속 원소를 포함하고, 또한 탄소 비함유의 제1 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 제1 금속 원소와는 상이한 제2 금속 원소를 포함하고, 또한 탄소 비함유의 제2 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소를 포함하는 반응 가스를 공급하는 공정을 시분할해서 소정 횟수 행함으로써, 기판 상에 제1 금속 원소 및 제2 금속 원소를 포함하는 금속 탄화막을 형성한다. |
