| 摘要 |
저후방 산란이고 또한 고헤이즈를 실현시킬 수 있는 박막의 광확산 소자가 제공된다. 본 발명의 광확산 소자는, 제 1 굴절률 (n1) 을 갖는 제 1 영역과；제 1 영역을 포위하는 실질적으로 구각상의 굴절률 변조 영역과；굴절률 변조 영역의 제 1 영역과 반대측에 위치하고, 제 2 굴절률 (n2) 을 갖는 제 2 영역을 갖고, 하기 식 (1) 및 (2) 를 만족시킨다： 0.0006≤Δn/L … (1) 10≤(Δn)×A×B≤100 … (2) 여기서, Δn 은 제 1 굴절률 (n1) 과 제 2 굴절률 (n2) 의 차이의 절대값 ｜n1-n2｜이고, L (㎚) 은 굴절률 변조 영역의 평균 두께이고, Δn/L 의 단위는 (㎚) 이고, A 는 광확산 소자 전체를 100 중량부로 했을 때의 제 1 영역을 구성하는 재료의 중량부수이고, B 는 광확산 소자 전체를 100 중량부로 했을 때의 제 2 영역을 구성하는 재료의 중량부수이다. |
