举离方法

摘要

明的课题在于将磊晶基板顺畅地从光元件层剥离。解决手段为在光元件晶圆中，是在磊晶基板的表面透过由含Ga之Ga化合物所构成的缓冲层而形成有光元件层。在光元件晶圆之光元件层上接合移设基板后，从磊晶基板背面侧照射对磊晶基板具有穿透性且对缓冲层具有吸收性之波长的脉冲雷射光线，而在磊晶基板与缓冲层之分界面上形成剥离层。之后，使振荡产生超音波振动之超音波喇叭接触磊晶基板的外周部以使磊晶基板振动，并将磊晶基板从移设基板剥离，而将光元件层移设到移设基板上。

主权项

一种举离方法，是将在磊晶基板的表面上隔着由含Ga之Ga化合物所构成的缓冲层而形成有光元件层之光元件晶圆的光元件层移换到移设基板上的举离方法，其特包含：移设基板接合步骤，透过接合金属层在光元件晶圆之光元件层的表面上接合移设基板；剥离层形成步骤，从已接合有该移设基板之光元件晶圆的磊晶基板的背面侧照射对磊晶基板具有穿透性且对缓冲层具有吸收性之波长的脉冲雷射光线，而在磊晶基板与缓冲层之分界面上形成剥离层；以及光元件层移设步骤，已实施该剥离层形成步骤后，使振荡产生超音波振动之超音波喇叭接触该磊晶基板以使该磊晶基板振动，并将该磊晶基板从该移设基板剥离，而将光元件层移设到移设基板上。