| 发明名称 |
保护膜形成用片以及附有保护膜的半导体晶片的制造方法 |
| 摘要 |
明系一种保护膜形成用片，其具备第1支撑片及积层于该第1支撑片之第1面侧之保护膜形成膜，该保护膜形成膜包含硬化性材料且具有以下之特性：该保护膜形成膜硬化成为保护膜时，该保护膜之50℃之断裂应变为20%以下，且损耗正切之峰值温度T1为25℃至60℃。
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| 申请公布号 |
TW201614024 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104127316 |
申请日期 |
2015.08.21 |
| 申请人 |
琳得科股份有限公司 |
发明人 |
山本大辅;佐伯尙哉;米山裕之 |
| 分类号 |
C09J7/02(2006.01);H01L21/301(2006.01) |
主分类号 |
C09J7/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖正健;陈家辉 |
| 主权项 |
一种保护膜形成用片，系具备第1支撑片及积层于前述第1支撑片之第1面侧之保护膜形成膜；前述保护膜形成膜包含硬化性材料且具有以下特性：前述保护膜形成膜硬化成为保护膜时，前述保护膜之50℃之断裂应变为20%以下，且损耗正切之峰值温度T1为25℃至60℃。
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| 地址 |
日本 |
