平面晶体基板特别是半导体基板之以雷射为主之机器加工方法与装置

摘要

明有关一种平面晶体基板之以雷射为主之机器加工方法，以便将基板分离成数个部份。其中，将该雷射(3)之一雷射光线(2a，2f)导引至该基板(1)，将该基板(1)机器加工。其中，以一设置在该雷射(3)之一光学路径中之一光学配置(6)，由光线方向(z)、且由垂直于一光线方向(z)之一第一方向(y)观之，由此照射在该光学配置(6)之光线输出侧上之该雷射光线(2a)形成之扩充之雷射光线聚焦表面(2f)，但该雷射光线聚焦表面(2f)并未于垂直于该第一方向(y)与该光线方向(z)之一第二方向(x)中扩张。该基板(1)相对于该雷射光线聚焦表面(2f)而定位，以致于在该基板(1)之内之该雷射光线聚焦表面(2f)，沿着基板材料之扩张表面部份(2c)产生诱发吸收，藉由诱发吸收在沿着该扩张表面部份(2c)，在该基板材料中产生诱发裂痕。

主权项

一种平面晶体基板之以雷射为主之机器加工方法，以便将基板分离成复数个部份，其中，将一雷射(3)之雷射光线(2a，2f)导引至该基板(1)上，将该基板(1)机器加工；其中，以一设置在该雷射(3)之光学路径中之一光学配置(6)，由沿着一光线方向(z)、且由沿着垂直于该光线方向(z)之一第一方向(y)观之，此照射在该光学配置(6)之光线输出侧上之该雷射光线(2a)形成扩充之一雷射光线聚焦表面(2f)，但该雷射光线聚焦表面(2f)并未于垂直于该第一方向(y)与该光线方向(z)之一第二方向(x)中扩张，该基板(1)相对于该雷射光线聚焦表面(2f)而定位，以致于在该基板(1)之内之该雷射光线聚焦表面(2f)，沿着基板材料之一扩张表面部份(2c)产生诱发吸收，藉由诱发吸收在沿着该扩张表面部份(2c)，在该基板材料中产生诱发裂痕。