| 发明名称 |
电阻式记忆体 |
| 摘要 |
明揭示一种电阻式记忆体，用于大幅增加电阻式记忆体模组的集成密度，该电阻式记忆体包含：二电极层；及一多阶阻态层，设于该二电极层之间，该多阶阻态层主要由含氧绝缘材料及锂离子构成。藉此，可增加单一记忆体元件用于储存的电阻态。
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| 申请公布号 |
TW201614884 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW103135722 |
申请日期 |
2014.10.15 |
| 申请人 |
国立中山大学 |
发明人 |
张鼎张;张冠张;蔡宗鸣;朱天健;潘致宏 |
| 分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄耀霆 |
| 主权项 |
一种电阻式记忆体，包含：二电极层；及一多阶阻态层，设于该二电极层之间，该多阶阻态层主要由含氧绝缘材料及锂离子构成。
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| 地址 |
高雄市鼓山区莲海路70号 |
