| 发明名称 |
于嵌入式矽锗消除滑雪斜坡之光学邻近校正扩大的虚拟电极 |
| 摘要 |
藉由OPC截切遮罩校正使虚拟电极扩大到STI顶部宽度大小以及所得之装置。具体实施例包括：形成STI区于矽基板中，该STI区有一顶部宽度；以及形成虚拟电极于该STI区上以及形成闸极电极于该矽基板上，该虚拟电极的宽度大于或等于该STI区顶部宽度。
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| 申请公布号 |
TW201614833 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104117398 |
申请日期 |
2015.05.29 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
亚恩拉恩;候尼史奇尔 詹;齐哈德 马丁 |
| 分类号 |
H01L29/423(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L21/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种方法，其系包含下列步骤：在矽基板中形成浅沟槽隔离(STI)区，该STI区有一顶部宽度；以及形成虚拟电极于该STI区上以及形成闸极电极于该矽基板上，该虚拟电极的宽度大于或等于该STI区顶部宽度。
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| 地址 |
美国 |
