发明名称 |
用于沿着一制造程序线量测晶圆之辐射及温度曝露之方法及系统 |
摘要 |
用于量测辐射强度及温度之量测晶圆装置包含一晶圆总成,该晶圆总成包含一或多个空腔。该量测晶圆装置进一步包含一侦测器总成。该侦测器总成安置于该晶圆总成之一或多个空腔内。该侦测器总成包含一或多个光感测器。该侦测器总成进一步经组态以执行对入射于晶圆总成之一表面上之紫外光强度之一直接或间接量测。该侦测器总成进一步经组态以基于一或多个光感测器之一或多个特性判定晶圆总成之一或多个部分之一温度。
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申请公布号 |
TW201614752 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104133752 |
申请日期 |
2015.10.14 |
申请人 |
克莱谭克公司 |
发明人 |
森 玫;杰生 艾尔;欧布莱恩 凯文 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种用于量测辐射强度及温度之量测晶圆设备,其包括:一晶圆总成,其包含一或多个空腔;及一侦测器总成,该侦测器总成之至少一部分安置于该晶圆总成之该一或多个空腔内,该侦测器总成包含一或多个光感测器,该侦测器总成经组态以执行对入射于该晶圆总成之至少一表面上之紫外光之该强度之一直接量测或对入射于该晶圆总成之该至少一表面上之紫外光之该强度之一间接量测之至少一者,其中该侦测器总成进一步经组态以在量测入射于该晶圆总成之该至少一表面上之该紫外光之该强度后即基于该一或多个光感测器之一或多个特性判定该晶圆总成之一或多个部分之一温度。
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地址 |
美国 |