| 发明名称 |
肖特基二极体以及其制造方法 |
| 摘要 |
基二极体包括在基板的表面部分形成的第一导电型的漂移区，设置在基板上并具有使漂移区的一部分暴露出来的开口的绝缘层，以及设置在漂移区由开口暴露出来的部分上的矽化钛层。 |
| 申请公布号 |
TW201614853 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104116899 |
申请日期 |
2015.05.27 |
| 申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
金勇晟 |
| 分类号 |
H01L29/872(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
何秋远 |
| 主权项 |
一种肖特基二极体，包括： 在基板的表面部分形成的第一导电型的漂移区； 设置在所述基板上的绝缘层，所述绝缘层具有使所述漂移区的一部分暴露出来的开口；以及 设置在所述漂移区由所述开口暴露出来的所述一部分上的矽化钛层。 |
| 地址 |
南韩 |
