发明名称 |
用以达成高密度高SP3含量层的高功率脉冲磁控溅镀制程 |
摘要 |
揭示用于沉积奈米结晶碳层的方法。该方法可以包括以下步骤:递送溅镀气体到基板,该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;递送能量脉冲到该溅镀气体,以产生溅镀电浆,该溅镀电浆具有溅镀持续时间,该能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并大于30μs的脉冲宽度,该溅镀电浆被磁场控制,该磁场小于300高斯;以及递送该溅镀电浆到该溅镀靶材以形成离子化物种,该离子化物种在该基板上形成结晶含碳层。
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申请公布号 |
TW201614089 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104126602 |
申请日期 |
2015.08.14 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
史托威尔麦克W;陈咏梅 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);B82Y10/00(2011.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种形成一含碳层的方法,包含以下步骤:递送一溅镀气体到一基板,该基板被定位在一第一处理腔室之一处理区域中,该第一处理腔室具有一含碳溅镀靶材;递送一能量脉冲到该溅镀气体,以产生一溅镀电浆,该溅镀电浆系藉由能量脉冲形成,该能量脉冲具有一介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及一小于100μs并大于30μs的脉冲宽度,该溅镀电浆被暴露于一小于300高斯的磁场;以及形成一离子化物种,该离子化物种包含一从该含碳溅镀靶材溅射的含碳材料,其中该离子化物种在该基板上形成一结晶含碳层。
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地址 |
美国 |