发明名称 用以达成高密度高SP3含量层的高功率脉冲磁控溅镀制程
摘要 揭示用于沉积奈米结晶碳层的方法。该方法可以包括以下步骤:递送溅镀气体到基板,该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;递送能量脉冲到该溅镀气体,以产生溅镀电浆,该溅镀电浆具有溅镀持续时间,该能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并大于30μs的脉冲宽度,该溅镀电浆被磁场控制,该磁场小于300高斯;以及递送该溅镀电浆到该溅镀靶材以形成离子化物种,该离子化物种在该基板上形成结晶含碳层。
申请公布号 TW201614089 申请公布日期 2016.04.16
申请号 TW104126602 申请日期 2015.08.14
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 史托威尔麦克W;陈咏梅
分类号 C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);B82Y10/00(2011.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项 一种形成一含碳层的方法,包含以下步骤:递送一溅镀气体到一基板,该基板被定位在一第一处理腔室之一处理区域中,该第一处理腔室具有一含碳溅镀靶材;递送一能量脉冲到该溅镀气体,以产生一溅镀电浆,该溅镀电浆系藉由能量脉冲形成,该能量脉冲具有一介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及一小于100μs并大于30μs的脉冲宽度,该溅镀电浆被暴露于一小于300高斯的磁场;以及形成一离子化物种,该离子化物种包含一从该含碳溅镀靶材溅射的含碳材料,其中该离子化物种在该基板上形成一结晶含碳层。
地址 美国