| 发明名称 |
半导体结构 |
| 摘要 |
半导体结构，包含有一半导体基底；一主动区，位于该半导体基底中；两条沟槽，截穿过该主动区并将该主动区区隔成一源极区和两个汲极区；一马鞍形的N+/N-/N+结构，位于该主动区的该源极区中；以及两个N+汲极掺杂区分别位于该两个汲极区中。
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| 申请公布号 |
TW201614806 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW103138611 |
申请日期 |
2014.11.06 |
| 申请人 |
华亚科技股份有限公司 |
发明人 |
李宗翰;施能泰;胡 耀文 |
| 分类号 |
H01L27/108(2006.01);H01L21/265(2006.01);G11C7/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;戴俊彦 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包含有：一半导体基底；一主动区，位于该半导体基底中；两条沟槽，截穿过该主动区并将该主动区区隔成一源极区和两个汲极区；一马鞍形的N+/N-/N+结构，位于该主动区的该源极区中；以及两个N+汲极掺杂区分别位于该两个汲极区中。
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| 地址 |
桃园市龟山区复兴三路667号 |
