半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

明系有关半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括在一个基板之上的驱动电路和像素，该驱动电路包含第一薄膜电晶体，该像素包含第二薄膜电晶体。第一薄膜电晶体包括第一闸极电极层、闸极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的部分相接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的周边和侧表面相接触的氧化物绝缘层、第一源极电极层以及第一汲极电极层。第二薄膜电晶体包括第二闸极电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料所形成的第二源极电极层和第二汲极电极层。

主权项

一种半导体装置，包括；第一电晶体，系电连接至像素电极层；以及第二电晶体，包括：第一闸极电极层；在该第一闸极电极层之上的第一绝缘层；在该第一绝缘层之上的氧化物半导体层；在该氧化物半导体层之上并且与该氧化物半导体层相接触的第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该氧化物半导体层的侧表面；在该第二绝缘层之上的源极电极层和汲极电极层，该源极电极层和该汲极电极层系电连接至该氧化物半导体层；在该第二绝缘层之上的第二闸极电极层；以及在该第二闸极电极层之上的第三绝缘层，其中，该像素电极层系设置在该第三绝缘层之上。