发明名称 具有多个电晶体之装置及其制造方法(一)
摘要 述的是具有不同闸极结构且形成于一单一积体电路上的两种或两种以上类型之鳍式电晶体。用于每一类型之电晶体的该等闸极结构系至少藉由闸极介电质层之厚度或组合物或藉由闸极电极中之功函数金属层之组合物加以区别。亦提供的是用于制作具有至少两种不同类型之鳍式电晶体之一积体电路的方法,其中该等电晶体类型系藉由闸极介电质层之厚度及组合物及/或藉由闸极电极中之功函数金属之厚度及组合物加以区别。
申请公布号 TW201614803 申请公布日期 2016.04.16
申请号 TW105101077 申请日期 2012.12.22
申请人 英特尔公司 发明人 蔡 库提斯;简嘉宏;叶震亚;朴洙东;哈弗兹 华利德M
分类号 H01L27/085(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L27/085(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种装置,其包含:一第一电晶体,其包含:一第一鳍片,其具有一顶部、一第一侧壁、相对于该第一侧壁之一第二侧壁;一第一闸极介电质结构,其包绕该第一鳍片之该第一侧壁之至少一部份、该第二侧壁之至少一部份、及该顶部之至少一部份,且和该第一鳍片接触,该第一闸极介电质结构包含具有一第一厚度且和该第一鳍片接触之一第一介电质材料之一第一层,以及一第二介电质材料之一第二层;一第一闸极电极结构,其包绕该第一鳍片之该第一侧壁之至少一部份、该第二侧壁之至少一部份、及该顶部之至少一部份,其中该第一闸极介电质结构之至少一部份系在该第一鳍片之至少一部份及该第一闸极电极结构之至少一部份之间;及一第一n型源极区域,其在该第一闸极电极结构之第一侧;一第一n型汲极区域,其在该第一闸极电极结构之第二侧,该第一闸极电极结构之该第二侧系相对于该第一闸极电极结构之该第一侧;及一第二电晶体,其包含:一第二鳍片,其具有一顶部、一第一侧壁、相对于 该第一侧壁之一第二侧壁;一第二闸极介电质结构,其包绕该第二鳍片之该第一侧壁之至少一部份、该第二侧壁之至少一部份、及该顶部之至少一部份,且和该第二鳍片接触,该第二闸极介电质结构包含具有大于该第一闸极介电质结构之该第一层之该第一厚度之一第二厚度且和该第二鳍片接触之该第一介电质材料之一第一层,以及该第二介电质材料之一第二层;一第二闸极电极结构,其包绕该第二鳍片之该第一侧壁之至少一部份、该第二侧壁之至少一部份、及该顶部之至少一部份,其中该第二闸极介电质结构之至少一部份系在该第二鳍片之至少一部份及该第二闸极电极结构之至少一部份之间;及一第二n型源极区域,其在该第二闸极电极结构之第一侧;一第二n型汲极区域,其在该第二闸极电极结构之第二侧,该第二闸极电极结构之该第二侧系相对于该第二闸极电极结构之该第一侧。
地址 美国