| 发明名称 | 成膜方法及成膜装置 | ||
| 摘要 | 矽或锗或矽锗膜之成膜方法，系在被处理体之被处理面上形成膜，其包含以下步骤：(1)收容步骤，将在前述被处理面上具有单晶质的前述被处理体收容于处理室内；(2)供给步骤，将抑制「成膜在前述被处理面上的单晶质之结晶化」的结晶化抑制处理气体供给至前述处理室内；及(3)成膜步骤，将原料气体供给至前述处理室内，在前述被处理体之被处理面上形成非晶质膜。 | ||
| 申请公布号 | TW201614757 | 申请公布日期 | 2016.04.16 |
| 申请号 | TW104128550 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 高木聪;高桥和也;村上博纪;铃木大介 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01) | 主分类号 | H01L21/67(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | 一种成膜方法，系在被处理体之被处理面上形成膜，其包含以下步骤： (1)收容步骤，将在该被处理面上具有单晶质的该被处理体收容于处理室内； (2)供给步骤，将对于成膜在该被处理面上的单晶质之结晶化加以抑制的结晶化抑制处理气体供给至该处理室内；及 (3)成膜步骤，将原料气体供给至该处理室内，在该被处理体之被处理面上形成非晶质膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||