| 发明名称 |
半导体装置结构及其制造方法 |
| 摘要 |
请案揭示内容的一些实施例提供制造半导体装置的方法，其包含接收含有鳍结构形成于隔离区之间以及形成于鳍结构上方的闸极结构之FinFET前驱物，因而该鳍结构的侧壁系与该闸极结构的闸极隔板接触；图案化该鳍结构，以包括从该隔离区升高的至少一向上阶梯的图案；在该鳍结构、该隔离区与该闸极结构上方，形成覆盖层；在该FinFET前驱物上进行退火制程，以沿着该向上阶梯形成至少两个差排；以及移除该覆盖层。
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| 申请公布号 |
TW201614735 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104108585 |
申请日期 |
2015.03.18 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈奕志;谢志民;蔡富村;李永发;黄智睦 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
冯博生 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，其包括：接收FinFET前驱物，其包括：鳍结构，其形成于隔离区之间；以及闸极结构，其系形成于该鳍结构的部分上方，因而该鳍结构的侧壁系与该闸极结构之闸极隔板接触；图案化该鳍结构，以包括从该隔离区上升之至少一向上阶梯；在该鳍结构、该隔离区以及该闸极结构上方，形成覆盖层；在该FinFET前驱物上进行退火制程，以沿着该向上阶梯形成至少两个差排；以及移除该覆盖层。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
