发明名称 半导体装置
摘要 一种高耐湿性的半导体装置。 于半导体基板1之主面上设置半导体元件2。电极焊点3a,3b,3c设置于半导体基板1之主面上,并连接至半导体元件2。护圈6围住半导体元件2及电极焊点3a,3b,3c而设置于半导体基板1之主面上,被赋予基准电位。绝缘膜7于上述护圈6之内侧完全覆盖半导体基板1之半导体露出之区域。绝缘膜7由水分无法通过的材料构成。
申请公布号 TW201614790 申请公布日期 2016.04.16
申请号 TW104121062 申请日期 2015.06.30
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 野上洋一
分类号 H01L23/492(2006.01);H01L23/04(2006.01) 主分类号 H01L23/492(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项 一种半导体装置,其特征为包括:半导体基板,具有主面;半导体元件,设置于上述半导体基板之上述主面上;电极焊点,设置于上述半导体基板之上述主面上且连接至上述半导体元件;护圈,围住上述半导体元件及上述电极焊点而设置于上述半导体基板之上述主面上;及绝缘膜,于上述护圈之内侧完全覆盖上述半导体基板之上述主面之半导体露出之区域;其中,上述绝缘膜由水分无法通过的材料构成。
地址 日本