| 发明名称 |
无电浆金属蚀刻 |
| 摘要 |
基材的表面选择性地蚀刻含金属材料的方法系被描述。该蚀刻系相对于含矽膜(诸如矽、多晶矽、氧化矽、矽锗、碳化矽、氮化碳矽与/或氮化矽)选择性地移除含金属材料。该方法包括在一基材处理区域中将含金属材料暴露于含卤素物种。在实施例中，没有电浆远端地或当地激发含卤素前驱物。
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| 申请公布号 |
TW201614106 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104132893 |
申请日期 |
2015.10.06 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
英格尔尼汀Ｋ;卡契恩洁西卡瑟凡恩;徐霖;朴书南;王希昆;安瑟斯杰佛瑞Ｗ |
| 分类号 |
C23F1/12(2006.01);C23F1/02(2006.01);H01L21/3213(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李世章;彭国洋 |
| 主权项 |
一种蚀刻含金属材料的方法，该方法包括以下步骤：放置一基材到一基材处理腔室的一基材处理区域内，其中该基材包含该含金属材料；使一含卤素前驱物流动到该基材处理区域内；从该基材蚀刻该含金属材料的一第一部分；从该基材处理区域移除电浆流出物；使额外的含卤素前驱物流动到该基材处理区域内；及从该基材蚀刻该含金属材料的一第二部分。
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| 地址 |
美国 |
