半导体装置及其制造方法

摘要

明的课题是在于使含记忆格的半导体装置的性能提升，该记忆格是具有控制闸电极、及对于控制闸电极隔着电荷积蓄层来形成的记忆闸电极。
其解决手段是在具有包含藉由所谓的后闸极制程(Gate-last process)所形成的金属闸极电极的闸极电极G1的MISFETQ1之半导体装置中，使矽膜全矽化物化来分别形成构成分闸型的MONOS记忆体的记忆格MC之控制闸电极CG及记忆闸电极MG。

主权项

一种半导体装置，其特征系具有记忆格，其系包含：半导体基板；第1闸极电极，其系包含在前述半导体基板上隔着第1绝缘膜而形成的第1矽化物层；第2闸极电极，其系包含在前述第1闸极电极的侧壁隔着内部具有电荷积蓄部的第2绝缘膜而形成的第2矽化物层；及第1源极．汲极领域，其系形成于前述半导体基板的主面，前述第2闸极电极系于前述半导体基板上隔着前述第2绝缘膜而形成，前述第1矽化物层系接触于前述第1绝缘膜的上面，前述第2矽化物层系接触于前述第2闸极电极与前述半导体基板之间的前述第2绝缘膜的上面。