发明名称 |
增加磁性穿隧接面之界面异向性的配置及技术 |
摘要 |
明实施例叙述增加磁性穿隧接面之接面异向性的配置及技术。在实施例中,磁性穿隧接面可包括覆盖层、穿隧阻障及设置在缓冲层和穿隧阻障之间的磁性层。在一些实施例中,缓冲层设置在磁性层和覆盖层或磁性接面中选定一者之间。在此实施例中,缓冲层与覆盖层或穿隧接面中选定一者之界面异向性大于磁性层与覆盖层或穿隧接面中选定一者之界面异向性。其它实施例可以被叙述和/或主张。
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申请公布号 |
TW201614882 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104121486 |
申请日期 |
2015.07.02 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
欧固兹 肯恩;杜西 马克;道尔 布莱恩;郭 查尔斯;查德瑞 安纳拉;赵 罗伯特 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);G11C11/16(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种磁性穿隧接面,包含:覆盖层;穿隧阻障;设置在该覆盖层和该穿隧阻障之间的磁性层;以及设置在该磁性层与该覆盖层或该穿隧阻障中选定一者之间的缓冲层,其中该缓冲层和该覆盖层或该穿隧阻障中选定一者之间的界面异向性大于该磁性层与该覆盖层或该穿隧阻障中选定一者之间的界面异向性。
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地址 |
美国 |